Samsung débute la production des puces LPDDR3 4 Gb gravées en 20nm

Seulement quelques mois après le lancement de la production de ses mémoires vives RAM en 30nm, Samsung annonce le lancement de la production de masse pour ses nouvelles RAM LPDDR3 4 Gb gravées en 20nm. (4Gb équivaut à +- 512 Mo donc pour avoir 4 Go ou GB il faudrait 8 puces … ! ne pas confondre bit avec Octet et Bytes).

ram lpddr3 4gb 20nm

Selon le fabricant coréen, cette nouvelle puce LPDDR3 4 Gb transmettrait des données jusqu’à 2 133 mégabits par seconde (Mbps) par broche, là où la LPDDR2 se limitait à 800 mégabits par seconde (Mbps). En plus de cela, Samsung rapporte également que cette puce aurait une consommation d’énergie réduite de l’ordre de 20% en différence aux modules gravés en 30nm.

D’après Samsung, ses puces auraient des performances quasi-identiques aux barrettes de mémoire RAM que l’on retrouve dans les PC traditionnels, pour une épaisseur de seulement 0,8 mm. Avec une telle épaisseur, il y aura plus d’espace pour les autres composants du smartphone, et ainsi se diriger de plus en plus vers la miniaturisation des cartes mères mobiles.

via SamMobile

 

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